北京大学Nano Lett.:亚纳米尺度探测二维半导体CrSBr中的激子行为

主要观点总结

文章介绍了北京大学叶堉教授团队在二维半导体材料CrSBr的研究上所取得的成果。通过PL与STEM-EELS联用技术，系统表征了不同厚度CrSBr薄片的激子特性，并首次观察到激子能量随厚度增加呈现反常蓝移现象。同时，文章提供了关于二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务的信息。

关键观点总结

关键观点1: 北京大学叶堉教授团队在CrSBr研究上的成果

通过PL与STEM-EELS技术，系统表征了不同厚度CrSBr薄片的激子特性，并首次观察到激子能量随厚度增加呈现反常蓝移现象。

关键观点2: CrSBr的激子特性研究的重要性

研究CrSBr的激子特性对于理解其光电性能、磁学性能以及电子学性能之间的复杂耦合作用具有重要意义，对于开发新型光电材料有潜在应用价值。

关键观点3: 提供的微纳加工服务

上海昂维科技有限公司提供二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务，以及各种测试分析，为研究者提供咨询和定制服务。

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