我国芯片制造核心装备，取得重要突破

主要观点总结

我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功研制出束，核心指标达国际先进，标志着全链路研发技术掌握，功率半导体制造链关键环节攻克。此成果是核技术与半导体产业融合的重要成果，将提升我国在功率半导体等领域的自主保障能力，助力实现双碳目标。

关键观点总结

关键观点1: 首台串列型高能氢离子注入机成功研制

近日，由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，这是核技术与半导体产业深度融合的重要成果。

关键观点2: 全链路研发技术掌握和功率半导体制造链关键环节攻克

高能氢离子注入机的成功研制，标志着我国已全面掌握串列型高能氢离子注入机的全链路研发技术，并攻克了功率半导体制造链关键环节，为推动高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定坚实基础。

关键观点3: 对战略产业升级和“双碳”目标实现的助力

高能氢离子注入机的成功研制将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，更为助力“双碳”目标实现、加快形成新质生产力提供强有力技术支撑。长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖国外进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约我国战略性产业升级的瓶颈之一。