南京大学王欣然教授团队Nat. Mater.：晶圆级菱方结构MoS2同质外延生长

主要观点总结

该文章报道了关于二维材料MoS2的同质外延生长策略及性能验证的研究。研究团队成功实现了晶圆级、高纯度的菱方（3R）MoS2薄膜的化学气相沉积（CVD）生长，解决了二维材料堆叠控制难题。该研究在二维材料多功能异质集成方面带来新机遇。

关键观点总结

关键观点1: 研究团队提出了一种同质外延的“缺陷诱导成核”机制，揭示了Mo取代硫空位缺陷在3R相堆叠形成中的关键作用。

采用两步CVD工艺实现3R结构的生长；通过系统的控制实验与第一性原理计算发现Mo S 反位缺陷是3R堆叠的成核中心；缺陷在成核过程中起决定性作用。

关键观点2: 研究团队通过光学图像、原子力显微镜（AFM）等手段表征了所生长的MoS2薄膜的结构和质量。

所生长的MoS2薄膜表现出明显的单向性，表面非常干净、平整；通过二次谐波光谱、超低频拉曼光谱等手段证明了所生长的MoS2薄膜为3R堆叠结构。

关键观点3: 研究团队验证了所生长的3R-MoS2的铁电性能，并基于此制备了铁电半导体场效应晶体管（FeS-FET）。

在确认了3R-MoS2的结构之后，作者进一步验证了其铁电性能；团队制备了背栅结构的FeS-FET器件，以3R-MoS2作为沟道材料；器件性能表现出良好的一致性和优异的非易失性存储特性，展现出在神经形态计算和非易失性存储领域的巨大应用潜力。

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