高性能宽带薄膜铌酸锂电光调制器

主要观点总结

本文介绍了薄膜铌酸锂电光调制器的最新发展，其已成为下一代电光问题的核心解决方案。相比块体铌酸锂调制器，薄膜铌酸锂调制器具有低损耗、高消光比、高线性响应和高光功率承载能力等优势，并且关键性能参数有所提升。近期，中国科学院的研究团队通过设计行波电极克服了薄膜铌酸锂电光调制器的金属吸收问题，实现了51.2 GHz的3 dB电光响应带宽，且保持低片上损耗和高消光比。该调制器采用金属封装并通过了可靠性测试。文章还介绍了调制器的结构、制造工艺、封装及测试结果。

关键观点总结

关键观点1: 薄膜铌酸锂电光调制器的发展及其优势

薄膜铌酸锂电光调制器已成为下一代电光问题的核心解决方案。相比块体铌酸锂调制器，它具有低损耗、高消光比、高线性响应和高光功率承载能力等固有优势，并且关键性能参数有所提升。

关键观点2: 研究团队的创新解决方案

中国科学院的研究团队设计了一种具有微结构的行波电极，以克服薄膜铌酸锂电光调制器的金属吸收问题。他们成功实现了51.2 GHz的3 dB电光响应带宽，并保持低片上损耗和高消光比。

关键观点3: 电光调制器的结构与制造工艺

该电光调制器由行波电极马赫-曾德尔干涉仪架构的光波导以及地-信号-地金共面微波电极组成。其光路包括输入和输出模式模点转换结构、多模干涉耦合器以及调制单模光波导。所有结构均制备于薄膜铌酸锂平台上，并采用了六个核心制造步骤。

关键观点4: 电光调制器的封装与测试结果

高性能薄膜铌酸锂电光调制器的封装需要考虑多个关键因素。研究团队采用了可伐合金进行封装，并通过了可靠性测试。最后，他们通过67 GHz网络分析仪测量了该调制器的频率响应，实现了51.2 GHz的3 dB电光响应带宽。

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