清华大学官宣：EUV光刻胶重要进展！

主要观点总结

清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出基于聚碲氧烷的新型光刻胶。该光刻胶为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略，并在《科学进展》期刊发表相关成果。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景及重要性

随着集成电路工艺的发展，EUV光刻成为先进芯片制造的核心技术。但EUV光源的特点对光刻胶提出了更高的要求。许华平教授团队的研究为EUV光刻胶领域带来了突破性的进展。

关键观点2: 新型光刻胶的特点

该光刻胶基于聚碲氧烷开发，具备高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子尺度的均一性和尽可能小的构筑单元等关键要素，满足了理想光刻胶的条件。

关键观点3: 研究方法和成果

许华平教授团队将高EUV吸收元素碲通过Te─O键直接引入高分子骨架中，显著提升了光刻胶的EUV吸收效率。该成果提供了一种融合高吸收元素、主链断裂机制与材料均一性的光刻胶设计路径。

关键观点4: 研究的影响和前景

该研究为构建下一代EUV光刻胶提供了清晰而可行的路径，有望推动下一代EUV光刻材料的发展，助力先进半导体工艺技术革新。

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