西安交通大学，Nature Materials！

主要观点总结

本文介绍了西安交通大学张伟教授团队报告的一种新型非晶相变材料CrTe₃，该材料具有优异的稳定性，能够在极端温度下保持低电阻漂移或无电阻漂移。通过合理设计无序相变材料，该工作为实现潜在相变神经形态计算所需的特性提供了一条替代途径。该材料具有广阔的应用前景，特别是在数据中心和边缘计算平台的高精度多级编程领域。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

介绍了人工智能和物联网等数据密集型应用对高效数据存储和处理提出的挑战，以及神经形态计算或内存计算（IMC）的概念。

关键观点2: 非易失性存储材料的关键问题

指出了非易失性存储材料面临的主要问题是非晶态结构弛豫导致的电阻漂移和极端温度下的性能稳定性问题。

关键观点3: 新型非晶相变材料CrTe₃的特点

描述了CrTe₃的稳定性，包括在极端温度下的电阻漂移抑制、电学性能测量、器件阵列的展示等。

关键观点4: 技术方案

详述了设计类分子玻璃a-PCM的理念、证实电阻漂移抑制的实验、测量CrTe₃器件电学性能的方法以及展示CrTe₃桥状器件阵列的应用。

关键观点5: 技术优势

列举了发现首个内在稳定的无漂移a-PCM、开创了“分子玻璃状”材料设计新范式等技术优势。

关键观点6: 实验数据与结果

展示了CrTe₃薄膜的制备、表征以及其在极端温度下的电阻稳定性数据。

关键观点7: 应用与展示

介绍了CrTe₃器件在自动路径追踪中的应用以及其优越的性能表现。

关键观点8: 展望与未来工作

指出了对未来研究的展望，包括进一步研究CrTe₃的性能、测试其在纳米级器件中的多级容量、耐久性和可变性等。