SiC 和 GaN的汽车机遇

主要观点总结

本文介绍了功率半导体市场的重要转折点，即碳化硅（SiC）MOSFET的商业化，以及其对电动汽车（EV）市场的影响。文章指出SiC MOSFET具有高功率密度、高效率及耐高温等特性，带来了续航里程更长、充电速度更快等好处。同时，文章也提到了氮化镓（GaN）HEMT作为新兴技术可能在电动汽车市场的地位。IDTechEx预计，到2035年，SiC和GaN将在汽车功率半导体市场占据重要地位。文章还讨论了SiC和GaN的优缺点，以及它们与硅（Si）IGBT和MOSFET相比的优势。最后，文章指出汽车OEM正在寻求多源SiC以保证供应和成本，并且SiC供应链的全球化正在不断推进。

关键观点总结

关键观点1: 碳化硅（SiC）MOSFET的商业化标志着功率半导体市场的重要转折点。

SiC MOSFET具有高功率密度、高效率及耐高温等特性，为电动汽车市场带来诸多好处，如续航里程更长、充电速度更快。

关键观点2: 氮化镓（GaN）HEMT是一种新兴技术，可能成为电动汽车市场的下一个主要颠覆者。

GaN具有关键的效率优势，但在采用方面面临重大挑战，如最终的功率处理能力。

关键观点3: SiC和GaN在汽车功率半导体市场将占有一席之地。

IDTechEx预计，到2035年，SiC MOSFET的市场份额将远远超过50%，而GaN将在未来5年内进入电动汽车电力电子市场。

关键观点4: 汽车OEM正在寻求多源SiC以保证供应和成本。

为了最大化汽车GaN的潜力，需要采取措施使其在更高的电压下可行，尤其是当800V架构在主流电动汽车领域获得市场份额时。

关键观点5: SiC供应链的全球化正在不断推进。

随着欧洲和亚洲的公司扩大晶圆业务，SiC供应链的全球化也在不断推进。