重要进展！清华大学开发出新型EUV光刻胶

主要观点总结

本文介绍了随着集成电路工艺的发展，EUV光刻成为先进芯片制造的核心技术，而清华大学许华平教授团队开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造带来突破。该光刻胶具有高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子尺度的均一性和小构筑单元等特点，有望推动下一代EUV光刻材料的发展。

关键观点总结

关键观点1: EUV光刻技术在集成电路工艺中的地位

随着集成电路工艺向7nm及以下节点推进，EUV光刻成为实现先进芯片制造的核心技术。

关键观点2: 清华大学许华平教授团队的研究成果

许华平教授团队基于聚碲氧烷开发出一种新型光刻胶，具有高EUV吸收能力、高能量利用效率、分子尺度的均一性，为构建下一代EUV光刻胶提供了清晰而可行的路径。

关键观点3: 新型光刻胶的特点

该光刻胶通过引入高EUV吸收元素碲，显著提升EUV吸收效率；同时，通过Te─O键的主链断裂机制，实现高灵敏度的正性显影。此外，仅由单组份小分子聚合而成，实现了理想光刻胶特性的整合。

关键观点4: 研究的意义

该研究突破当前EUV光刻材料领域的瓶颈，有望推动下一代EUV光刻材料的发展，助力先进半导体工艺技术革新。

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