重大突破：华人科学家世界首创60GHz GaN IMPATT 振荡器!

主要观点总结

斯坦福大学在IEDM 2024上展示了首款60GHz氮化镓（GaN）IMPATT振荡器，由华人科学家团队主导。该振荡器使用GaN技术在毫米波和亚THz频率下运行，具有巨大的高频应用潜力。文章详细描述了GaN IMPATT技术的关键突破，包括器件设计、制造、测试以及未来改进方向。

关键观点总结

关键观点1: GaN IMPATT振荡器的研发背景及意义

GaN因其优越性能在高功率高频RF应用中崭露头角，IMPATT二极管有望成为固态半导体RF器件中功率-频率性能最佳者。斯坦福大学的最新成果是GaN IMPATT技术的一大突破。

关键观点2: 关键工艺创新与合作伙伴

斯坦福大学团队带头开展设计和制造工作，引入了关键工艺创新，如边缘端接、基板减薄和器件封装。QuinStar技术公司负责电路设计和RF特性测试。

关键观点3: GaN IMPATT振荡器的性能特点

该振荡器实现了60 GHz的振荡和12.7 dBm的输出功率。采用特制的陶瓷柱封装和金刚石散热片，具有高效高频操作和增强散热能力。

关键观点4: 未来改进方向和潜在应用

为了进一步提高GaN IMPATT二极管的性能，需要克服热阻限制，实现倒装芯片配置并增强GaN与金刚石界面的热边界导热。器件到电路的协同优化是提高系统效率和输出功率的关键。

关键观点5: 报告人简介及相关团队介绍

斯坦福大学的Srabanti Chowdhury教授领导的宽带隙实验室一直处于GaN垂直器件创新的前沿。核心研究人员包括Zhengliang Bian博士和Avery Marshall等。

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