彭海琳课题组与合作者报道首例低功耗二维环栅晶体管

主要观点总结

北京大学研究团队在《自然—材料》发表研究论文，报道了世界首例低功耗二维环栅晶体管（2D GAAFET）及逻辑单元的研究。该团队成功实现了高迁移率二维半导体/全环绕高κ氧化物外延异质结的精准合成与单片三维集成，研制的二维环栅晶体管具有高性能和低功耗特性，突破了后摩尔时代芯片技术的瓶颈。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

集成电路是信息时代重要的技术基础，先进制程集成电路制造对带动新兴信息技术发展和产业增长发挥着关键作用。随着大规模集成电路技术的持续发展，传统硅基半导体技术面临挑战，探索后摩尔时代器件新原理、新材料、新工艺和新架构成为关键。

关键观点2: 研究亮点

北京大学研究团队成功制备了世界上首例低功耗二维环栅晶体管，该晶体管结合了二维半导体的高迁移率与环栅结构的强栅控能力，实现了高性能、低功耗的器件。其研制的二维铋基环栅晶体管具有原子级平整界面、超薄的沟道和栅介质厚度，实现了晶圆级单片三维集成。该晶体管的性能超越了传统硅基晶体管的物理极限，达到了国际上最高速度和最低功耗的水平。

关键观点3: 研究内容

该研究团队基于高迁移率二维铋基半导体和高κ原生氧化物栅介质材料，制备了一系列高性能二维晶体管及逻辑单元器件。他们通过精准合成与单片三维集成技术，实现了亚3纳米节点的低功耗、高性能二维环栅晶体管及逻辑单元的研发。该工作突破了二维电子学发展的关键科学瓶颈，为开发未来高性能芯片技术提供了全新思路。

关键观点4: 研究成果

该研究成果发表在《自然—材料》杂志上，得到了北京大学化学与分子工程学院、电子学院等多个学院的研究团队合作完成。该研究得到了国家自然科学基金委、科技部等资助，并得到了北京大学化学与分子工程学院仪器平台的大力支持。

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