大连理工大学ACS Nano：面内铁电材料NbOI2中本征与LED光增强忆阻器性能的观测研究

低维昂维 · 公众号 · 科技媒体 · 2025-08-05 00:14

主要观点总结

本文报道了二维层状铁电材料NbOI 2 的电学与光电特性研究，发现其表现出本征强忆阻效应，并且可通过LED可见光照射增强性能。研究结果表明NbOI 2 在下一代低功耗非易失性器件应用中具有重要潜力。

李大卫教授团队发现NbOI 2 具有强忆阻响应特性，电流开关比高达10⁴且循环特性稳定。

在LED可见光照射下，NbOI 2 的电流开关比提升超过一个数量级，矫顽场强显著降低至约1.22 kV/cm以下。

该研究提出的铁电极化翻转模型成功解释了NbOI 2 的忆阻工作机制，对下一代纳米电子学与光电子学具有实际应用价值。

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