华南师范大学霍能杰研究员课题组Nat. Commun.:亚纳米级MoO3介电薄膜的可控生长及其在二维...

主要观点总结

文章介绍了研究者通过可控生长技术成功制备出超薄高κ介电材料MoO3纳米片，并将其应用于二维电子器件中的研究。该研究实现了原子级光滑且无损的表面，保持了MoO3的高介电特性和二维沟道材料的本征电学性能。将MoO3作为栅介质的MoS2晶体管展现出卓越性能，推动了高性能、小型化、低功耗二维电子器件的发展。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景及目的

随着电子器件的发展，二维半导体与高κ介电材料的集成变得至关重要。为了延续摩尔定律，开发具有无损界面且等效氧化层厚度(EOT)小于1 nm的超薄高κ介质是关键。

关键观点2: 研究成果介绍

研究者成功实现了层状MoO3介电材料的可控自支撑生长，其EOT低至0.9 nm，介电常数超过40。采用MoO3作为高κ栅介质的MoS2晶体管展现出卓越性能，并成功应用于二维电子器件。

关键观点3: CMOS反相器的实现

通过将n型MoS2与p型WSe2晶体管垂直堆叠，实现了互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器，展示了其在高密度数字逻辑电路中的应用潜力。

关键观点4: 研究意义与展望

该研究开发了具有超薄EOT的高κMoO3介电材料可控生长技术，推动了高性能、小型化、低功耗二维电子器件的发展，为未来高密度数字逻辑电路奠定了基础。

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