AFM：新型印记抑制方法提高铁电存储器件的可靠性

主要观点总结

文章介绍了海归学者发起的公益学术平台，并重点阐述了全球数据量增长背景下非易失性存储器的迫切需求。文章主要围绕HfO2基铁电薄膜在铁电存储器中的应用展开，详细说明了其优势以及存在的印记效应问题。周益春教授团队在多值HfAlO x铁电电容中的研究发现及成果。

关键观点总结

关键观点1: 全球数据量增长背景下的非易失性存储器需求

随着信息技术的快速发展，全球数据量以惊人的速度增长，对非易失性存储器提出了大容量、高速、低功耗的迫切需求。

关键观点2: HfO2基铁电薄膜的优势

HfO2基铁电薄膜具有优异的CMOS工艺兼容性、高速读写特性和低功耗优势，且其独特的晶胞内隔离带-极化带结构可实现亚纳米尺度偶极子独立翻转的特征，有望推动铁电存储器成为下一代存储技术。

关键观点3: 铁电存储器中的印记效应问题

印记效应是铁电存储器主要的可靠性问题之一，表现为特性极化状态保持之后的电滞回线沿电压轴产生偏移，易导致数据写入错误。周益春教授团队在多值HfAlO x铁电电容中发现这一问题，并提出失效模型。

关键观点4: 周益春教授团队的研究成果

周益春教授团队提出了带电氧空位在薄膜中形成内建电场导致中间极化状态无法准确写入的失效模型，并设计制备了能长时间保存数据的HfAlO x 电容。团队还设计了一种预编程方法，通过使铁电薄膜的内氧空位重新分布来抵消印记效应的影响，实现了室温环境下长期稳定的准确编程。

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