复旦大学Nat. Commun.：高性能Si-MoS2异质嵌入式DRAM

主要观点总结

复旦大学信息学院万景研究员联合团队设计了一种结合硅和MoS₂的异质双晶体管eDRAM（Si-MoS₂ 2T-eDRAM），解决了传统增益单元eDRAM的存储时间过短问题，并实现了高集成度的跨越式提升。该结构利用MoS₂晶体管的低漏电特性，显著延长数据存储时间，并实现了高速的工作速度和高的数据保持能力。研究成果发表在《自然通讯》上。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

传统六管静态随机存储器（6T-SRAM）和嵌入式动态存储器（eDRAM）面临的挑战，如低集成度、高功耗和制造困难等。

关键观点2: 研究创新

设计了一种结合硅和MoS₂的异质双晶体管eDRAM（Si-MoS₂ 2T-eDRAM），解决了传统增益单元eDRAM的存储时间过短问题，并提高了集成密度和数据保持能力。

关键观点3: 技术细节

利用MoS₂晶体管的低漏电特性，显著延长数据存储时间；实现5纳秒的工作速度，结合硅晶体管高开态电流的优点，实现高感测裕度；通过后端工艺实现MoS₂与硅的三维堆叠集成，显著提高集成密度，并完全兼容现有CMOS逻辑工艺。

关键观点4: 研究成果

在《自然通讯》上发表，展示了其优越的存储性能和制造工艺优势，为高密度嵌入式存储器技术的发展带来了革命性突破，并为其在高性能处理器中的应用开拓了新的路径。