天风·机械 | HBM：堆叠互联，方兴未艾

主要观点总结

本文介绍了HBM制造流程的核心环节，包括TSV、Bumping/Stacking和KGSD测试。其中，3D堆叠技术允许芯片在垂直方向上连接，增加存储密度和带宽。文章还详细描述了TSV工艺的关键步骤，包括深孔刻蚀、铜填充和CMP设备。另外，混合键合技术满足3D内存堆栈和异构集成的需求。最后，文章提到了几个值得关注的公司，并给出了风险提示。

关键观点总结

关键观点1: HBM制造流程介绍

文章介绍了HBM制造流程的主要环节，包括TSV、Bumping/Stacking和KGSD测试。其中，3D堆叠技术提高了存储密度和带宽。

关键观点2: TSV工艺的关键步骤

文章详细描述了TSV工艺的关键步骤，包括深孔刻蚀、铜填充和CMP设备。深孔刻蚀是TSV的关键工艺，混合键合是满足3D内存堆栈和异构集成的需求的有效互连方案。

关键观点3: 值得关注的公司

文章提到了几个在HBM制造领域值得关注的公司，包括拓荆科技、芯源微、华海清科、精智达、长川科技、赛腾股份和芯碁微装，并介绍了它们的相关业务。

关键观点4: 风险提示

文章最后给出了风险提示，包括晶圆厂扩产不及预期的风险、供应链安全风险和技术开发风险。

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