日本Rapidus公司挑战2纳米：从原型突破

主要观点总结

日本Rapidus公司展示了其2纳米全栅极（GAA）晶体管原型晶圆，实现了先进逻辑半导体技术的突破。该公司在试制晶圆中采用了多层堆叠的硅纳米片通道结构、EUV光刻技术等。Rapidus计划于2027年实现量产，并面临从试验阶段到量产的技术和资本挑战。同时，公司在地震活跃地区建设工厂，引入了复杂的结构抗震设计。

关键观点总结

关键观点1: 日本Rapidus公司展示2纳米GAA晶体管原型晶圆

Rapidus公司展示了其基于全栅极（GAA）架构的逻辑晶体管结构，代表当前CMOS制造技术的发展前沿。

关键观点2: 技术突破与PDK开发

Rapidus公司采用EUV光刻技术，并实现GAA结构的晶圆制造。计划推出PDK以吸引客户进行试投片设计，验证制程能力。

关键观点3: 建厂挑战与抗震设计

Rapidus公司在地震活跃地区建设工厂，展示出色的工程素养和系统能力。采用钢制减震器、滑动柱结构等创新抗震设计以保障制造连续性。

关键观点4: 产能规划与市场定位

据Omdia数据，Rapidus公司初期月产能计划为2.5万至3万片12英寸晶圆，市场定位可能局限于高端客户的小批量定制或先期技术验证。

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