存储，最核心的设备！

主要观点总结

文章介绍了存储芯片的制造过程，包括打地基、主体建造过程（前道工艺）和封顶装修等环节。文章还强调了存储芯片制造过程中特别关键的设备，如高深宽比刻蚀机、叠对误差量测设备和用于电容结构的原子层沉积设备。

关键观点总结

关键观点1: 存储芯片的制造过程分为三步。

第一步是打地基，制作硅晶圆；第二步是主体建造过程，即前道工艺，包括堆叠材料、光刻和刻蚀等；第三步是封顶装修，包括测试和封装等环节。

关键观点2: 存储芯片制造过程中的关键设备。

包括高深宽比刻蚀机、叠对误差量测设备和用于电容结构的原子层沉积设备。这些设备在制造3D NAND闪存和DRAM中起到关键作用。

关键观点3: 存储芯片的种类和特点。

主流存储芯片分为DRAM和NAND。DRAM像是在平面上建造海量完全一致的“平房小区”，而3D NAND则通过垂直方向堆叠增加存储密度。