主要观点总结
俄罗斯莫斯科的泽列诺格勒纳米中心完成了俄罗斯第一台350nm光刻机的研发,即将批量投产。俄罗斯已披露将在2024年生产350nm光刻机,2026年生产130nm光刻机。谢尔盖·索比亚宁公布了俄罗斯国产光刻机的实物照片,强调这是俄罗斯迈向微电子国产化、技术独立的重要一步。俄罗斯光刻机采用固体激光器,具有功率大、能效高等优势,可制造200mm直径晶圆。我国中科院也在研发DUV激光光源技术,有望实现更先进的工艺节点。
关键观点总结
关键观点1: 俄罗斯完成350nm光刻机的研发
莫斯科的泽列诺格勒纳米中心完成了俄罗斯第一台350nm光刻机的研发工作,即将批量投产。
关键观点2: 俄罗斯的光刻机研发计划
俄罗斯计划在2024年生产350nm光刻机,在2026年生产130nm光刻机,并已跻身全球能制造此类半导体设备的少数国家之一。
关键观点3: 俄罗斯光刻机的特点
俄罗斯光刻机使用固体激光器作为光源,具有功率大、能效高、寿命长、光谱集中的优势,工作区域面积达到22x22毫米,最大可制造200mm直径晶圆。
关键观点4: 我国中科院的研究进展
我国中科院研发成功的DUV激光光源技术基于固态设计,有望推进至3nm节点,但仍存在功率、频率偏低的不足。
关键观点5: 俄罗斯的半导体制造现状和未来计划
俄罗斯已经掌握65nm工艺制造技术,但目前仍依赖国外进口设备。同时,俄罗斯正在继续推进130nm光刻机的研发工作,并预计明年完成。未来,俄罗斯也为65nm国产化做准备。
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