中国科学家挑战硅基霸权，构建理想弹道输运晶体管，实现二维硒化铟半导体重大跨越

主要观点总结

本文介绍了北京大学博士毕业生姜建峰在美国麻省理工学院从事博士后研究的工作成果。他在新型半导体领域取得了重大突破，特别是在硒化铟晶体管研究方面，在Science发表了关于晶圆级集成硒化铟半导体的成果。他的工作推动了超高性能二维器件的可制造性与系统集成化发展，引起了业界广泛关注。此外，姜建峰还介绍了他在新型硒化铟半导体领域的创新之路以及未来的计划。

关键观点总结

关键观点1: 姜建峰在新型半导体领域取得重大突破，特别是在硒化铟晶体管研究方面发表重要成果。

姜建峰以通讯作者兼共同一作的身份在Science发表了关于晶圆级集成硒化铟半导体的研究成果，该成果推动了超高性能二维器件的可制造性与系统集成化发展。

关键观点2: 姜建峰的研究工作回答了二维半导体能否超越硅的核心科学问题，并实现了从单器件向晶圆级平台的跨越。

姜建峰的研究工作不仅构建了基于硒化铟的理想弹道输运晶体管，还攻克了硒化铟半导体集成制造的难题，成功实现大面积可集成的二维电子器件。

关键观点3: 姜建峰的研究工作得到了业界的广泛关注，包括英特尔公司在内的半导体研究联盟邀请他做演讲。

姜建峰的研究工作被英特尔等半导体公司列为年度芯片器件重大进展，并被Nature Electronics专题报道。

关键观点4: 姜建峰对未来充满期待，计划将自己的积累转化为中国“芯”的一份力量，并考虑将实验室技术转化为产业。

姜建峰表示希望能够把实验室技术转化为产业，将自己在半导体领域的积累转化为推动中国芯片产业的力量。

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