主要观点总结
文章介绍了安森美(onsemi)的T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合解决方案,该方案为数据中心应用提供了高效能、低损耗的解决方案。文章还提到了全球数据中心对电力的巨大需求以及安森美的解决方案如何帮助减少电力损耗和成本。
关键观点总结
关键观点1: 安森美的解决方案提供高效能和卓越的热性能
安森美的T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET组合为数据中心应用提供了无与伦比的能效和卓越的热性能,可满足人工智能计算的庞大处理需求。
关键观点2: 全球数据中心电力需求巨大且增长迅速
预计全球数据中心的电力需求在未来两年内将达到约1,000太瓦时(TWh),搭载人工智能的引擎需要消耗超过10倍的电力。
关键观点3: 安森美的解决方案有助于减少电力损耗和成本
通过使用安森美的T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案,数据中心能够减少约1%的电力损耗,每年减少约10太瓦时的能源消耗。此外,这一解决方案还有助于降低系统成本。
关键观点4: EliteSiC 650V MOSFET的优越性能
EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容,可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品和超级结(SJ) MOSFET相比,它具有更好的性能、更低的开关损耗和更高的可靠性。
关键观点5: 安森美的解决方案符合严格的标准和规范
安森美的组合解决方案符合超大规模运营商所需的严格的开放式机架V3 (ORV3) 基本规范,支持下一代大功率处理器。此外,该方案还符合汽车应用所需的严格标准。
免责声明:本文内容摘要由平台算法生成,仅为信息导航参考,不代表原文立场或观点。
原文内容版权归原作者所有,如您为原作者并希望删除该摘要或链接,请通过
【版权申诉通道】联系我们处理。