主要观点总结
文章介绍了美国德州大学奥斯汀分校的研究团队利用静电方法动态控制悬浮在微米尺度空腔上的单层二硒化钨(WSe 2 )的拉伸应变,并观察了其在应变下的量子发射器性能。该研究通过调整栅极电压实现了拉伸应变增加0.22-0.26%,并提高了单光子纯度。此外,文章还涉及上海昂维科技有限公司提供的二维材料耗材、微纳加工服务和测试分析等信息。
关键观点总结
关键观点1: 研究团队利用静电方法动态控制WSe 2 的拉伸应变
该研究通过调整栅极电压实现了对单层二硒化钨(WSe 2 )拉伸应变的动态控制,增加了其应变范围。
关键观点2: 应变工程提高了单光子纯度
在适当的栅极电压下,由于缺陷态和暗激子态的应变诱导排列以及经典背景光抑制,单光子纯度得到提高。
关键观点3: 文献介绍了上海昂维科技有限公司的服务和产品
上海昂维科技有限公司提供二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务以及各种测试分析服务。
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