破产、并购、产能扩张减速——盘点2024年全球第三代半导体行业十大事件

主要观点总结

本文回顾了2024年全球第三代半导体和氮化镓（GaN）产业的重大事件，重点关注碳化硅（SiC）和氮化镓器件的应用及市场趋势。包括全球领先的半导体公司的业务发展、技术创新和市场动态。同时，也提到了行业内的重大变化，如公司破产和市场增长放缓等。

关键观点总结

关键观点1: 第三代半导体和氮化镓器件在清洁能源和新能源汽车市场的应用增长

随着清洁能源和新能源汽车市场的快速发展，第三代半导体和氮化镓器件的需求持续增长。碳化硅和氮化镓器件因其高性能、高可靠性等特点，在这些领域得到广泛应用。

关键观点2: 垂直GaN器件的商业化挑战

垂直GaN器件具有高性能和可靠性高的优点，但由于单质衬底成本极高，无法实现商业化。尽管有公司尝试推出垂直GaN器件，但最终未能实现商业化生产。

关键观点3: 功率GaN器件进入更高耐压时代

功率GaN器件正在向更高耐压的方向发展，以支持更多应用领域。高耐压的功率GaN器件的出现将进一步推动氮化镓在电源应用中的普及。

关键观点4: 行业巨头布局碳化硅产业

比亚迪、英飞凌等公司纷纷布局碳化硅产业，建设大规模碳化硅工厂。随着新能源汽车市场的快速发展，碳化硅需求量将持续增长。

关键观点5: SiC和GaN市场增长放缓，行业面临淘汰赛阶段

在经历了过去几年的大规模扩张后，SiC和GaN市场增长放缓。一些公司面临财务压力和市场竞争，行业内出现淘汰赛现象。

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