动向丨首次！我国芯片领域取得新突破

主要观点总结

北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队利用冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构，指导开发出减少光刻缺陷的产业化方案。这一技术突破为先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升提供了可能。

关键观点总结

关键观点1: 光刻技术在集成电路制程工艺中的作用

光刻技术是集成电路芯片制程工艺的核心驱动力之一，能够将电路图案精确转移到硅片上。

关键观点2: 彭海琳教授团队的研究成果

彭海琳教授团队通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子的微观三维结构，并开发出减少光刻缺陷的产业化方案。

关键观点3: 光刻胶在显影液中的微观行为的重要性

长期以来，光刻胶在显影液中的微观行为是制约先进制程良率提升的关键瓶颈之一。掌握液体中聚合物的结构与微观行为，有助于推动先进制程中的缺陷控制与良率提升。

关键观点4: 冷冻电子断层扫描技术的优势

冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具，能够克服传统技术无法原位、三维、高分辨率观测的三大痛点。