北京大学彭练矛院士、张志勇教授、丁力研究员Nat Electron：基于定向碳纳米管阵列的太赫兹金属...

主要观点总结

该文章报道了基于定向碳纳米管薄膜的金属氧化物半导体场效应晶体管的研究，其截止频率达到太赫兹量级。通过优化栅极结构与制备工艺，研究者实现了高迁移率、通态电流、峰值跨导和饱和速度的晶体管性能。引入Y形栅极结构后，外在最大振荡频率进一步提高。此外，研究还展示了30 GHz毫米波碳纳米管放大器的应用。文章还包含了相关的图文导读、结论与展望以及文献信息。

关键观点总结

关键观点1: 研究者成功开发出截止频率达到太赫兹量级的CNT MOSFETs。

通过优化栅极结构与制备工艺，实现了基于高纯度定向碳纳米管阵列薄膜的MOS晶体管的高性能。

关键观点2: 定向碳纳米管薄膜的载流子迁移率超过3,000 cm² V⁻ ¹ s⁻ ¹。

所制备的晶体管展现出高通态电流、峰值跨导和饱和速度。

关键观点3: 引入Y形栅极结构后，35 nm栅长A-CNT FET的外在最大振荡频率高达1,024 GHz。

此外，还研制出30 GHz毫米波碳纳米管放大器，其功率增益达到21.4 dB。