主要观点总结
本文介绍了在Cu 0.8 Ni 0.2 (111)蓝宝石晶圆上外延生长4英寸超平单晶六方氮化硼（hBN）的方法。该工艺通过利用hBN和基底之间的强相互作用，消除了hBN薄膜的晶界和皱纹。用这种超平hBN薄膜作为保护层，将HfO 2 等高κ电介质集成到2D材料上。所得hBN/HfO 2 复合电介质表现出良好的介电性能。该研究成果揭示了高质量2D材料的生长机制，并将HKMG与2D材料进行有效集成，为未来基于2D的晶体管铺平了道路。
关键观点总结
关键观点1: 研究成果
在Cu 0.8 Ni 0.2 (111)蓝宝石晶圆上外延生长出超平单晶六方氮化硼（hBN）薄膜，并成功将其应用于保护层和二维电子器件制造中。
关键观点2: 技术应用
利用超平hBN薄膜作为保护层，将HfO 2 等高κ电介质集成到二维（2D）材料上，形成具有超低漏电流和超薄等效氧化物厚度的复合电介质。
关键观点3: 工艺特点
通过控制铜镍合金基材内的镍浓度，实现了hBN薄膜与基底之间的强耦合，消除了皱纹和晶界。关键控制手段包括原子浓度的控制、减少表面应力和应变、基底的原子级平整度等。
关键观点4: 理论支持
通过密度泛函理论（DFT）计算，验证了hBN与基底之间的强耦合随着镍浓度的增加而增加，支持了实验结果。
关键观点5: 未来前景
该研究不仅揭示了高质量二维材料的生长机制，而且展示了将HKMG与二维材料集成的有效策略，为未来基于二维材料的晶体管和其他半导体器件的制造铺平了道路。
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