台积电工程师称最近将 2nm 良率提高了 6%，为客户节省数十亿美元

主要观点总结

台积电计划于明年下半年开始使用其N2（2纳米级）制程技术进行半导体的量产。目前，公司正在全力优化这项技术以提高良率，包括降低工艺中的变异性和缺陷密度。最近，台积电团队成功将测试芯片的良率提升了6%，为客户节省了数十亿美元的成本。此外，台积电的N2制程技术将使用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，具有降低功耗、提高性能和增加晶体管密度等优点。预计N2制程技术的芯片在功耗、性能和晶体管密度方面将比现有的N3E制程技术有显著提升。台积电预计在2025年下半年开始N2工艺芯片量产。

关键观点总结

关键观点1: 台积电计划使用N2制程技术进行半导体量产

台积电正在全力优化其N2制程技术，旨在提高良率并降低工艺中的变异性和缺陷密度。

关键观点2: 台积电团队成功提升测试芯片良率

台积电员工透露团队已成功将测试芯片的良率提升6%，为客户节省了数十亿美元的成本。

关键观点3: 台积电的N2制程技术采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管

这种新技术能够降低功耗、提高性能和增加晶体管密度，为未来的芯片制造带来革新。

关键观点4: N2制程技术的优势

相比N3E制程技术，N2制程技术的芯片在功耗、性能和晶体管密度方面预计有显著提升。

关键观点5: 台积电计划在2025年下半年开始N2工艺芯片量产

为此，台积电还有充足的时间进一步提高良率和降低缺陷密度。

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