MIT让硅芯片“外挂”氮化镓，未来手机将实现性能、续航双跃升

主要观点总结

本文介绍了由麻省理工学院领衔的研究团队开发出的一种新型制造工艺，该工艺可将高性能氮化镓（GaN）晶体管集成到标准硅基CMOS芯片上，并且完全兼容现有半导体代工厂产线。这项研究在IEEE射频集成电路研讨会上进行了展示，展示了一种在不牺牲成本或带宽的前提下实现GaN晶体管与硅基数字芯片融合的方法。这种集成工艺通过在硅芯片表面精准集成超微型分立式GaN晶体管，攻克了现有集成方案的局限，包括焊接连接和晶圆级集成方案的缺点。新开发的工艺包括在GaN晶圆表面制备微型晶体管阵列，采用低温工艺将所需数量的晶体管精准键合至硅芯片。该工艺具有低成本、可扩展性，并能有效提升器件性能。此外，这种分布式集成方案还能有效降低系统整体工作温度。研究人员还以手机核心组件射频功率放大器作为验证案例，验证了该工艺在带宽和增益方面的优势。

关键观点总结

关键观点1: 文章介绍了新型制造工艺将高性能氮化镓（GaN）晶体管集成到标准硅基CMOS芯片上。

该工艺兼容现有半导体代工厂产线，克服了现有集成方案的局限。

关键观点2: 研究团队展示了在不牺牲成本或带宽的前提下实现GaN晶体管与硅基数字芯片融合的方法。

这种集成工艺通过在硅芯片表面精准集成超微型分立式GaN晶体管来实现。

关键观点3: 新工艺包括在GaN晶圆表面制备微型晶体管阵列，并采用低温工艺将晶体管精准键合至硅芯片。

这种工艺具有低成本、可扩展性，并能有效提升器件性能。

关键观点4: 该工艺的验证案例展示了在手机核心组件射频功率放大器方面的优势。

此外，该工艺还有助于开启量子计算的进步，并可能引领技术浪潮改变多个电子市场。

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