【专利】芯原蓝牙发射机校准方法专利公布；华虹宏力超结-沟槽栅MOSFET器件专利公布；捷捷微电半导体...

主要观点总结

本文主要报道了三家公司在半导体领域的专利公布或授权，包括芯原的蓝牙发射机校准方法、系统、设备及介质专利，华虹宏力的超结-沟槽栅MOSFET器件及其制备方法专利，以及捷捷微电的半导体器件的终端结构及其制造方法专利。文章还提及了其他热点新闻。

关键观点总结

关键观点1: 芯原公布蓝牙发射机校准方法、系统、设备及介质专利

该专利提供一种蓝牙发射机的校准方法，通过粗搜索和精搜索结合的方式估计IQ不平衡和本振泄露的参数，以提升蓝牙发射机的校准效率。

关键观点2: 华虹宏力公布超结-沟槽栅MOSFET器件及其制备方法专利

该专利涉及超结沟槽栅MOSFET器件的制备，通过特定的制备工艺，改善了MOSFET器件的电性能。

关键观点3: 捷捷微电获得半导体器件的终端结构及其制造方法专利

该专利涉及一种半导体器件的终端结构，通过优化场限环的设计，提高了器件的耐压能力，减小了终端的宽度，并增大了有源区的面积。

关键观点4: 热点聚焦

报道提及了其他热点新闻，包括半导体企业IPO终止、知名车企产量暴跌、稀土管理条例发布、科技工作者签证问题、国内大模型清华系的领先地位、印度对PCB征收反倾销税、锂电池厂火灾等。

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