中国计量大学，中国科学院苏州纳米所，山东大学ACS Nano:通过衬底工程调控的非易失性均相InSe...

主要观点总结

该文章主要介绍了基于二维材料的同质和异质PN结的实现方法及其特性。文章详细描述了PN结在二维材料中的应用，包括其关键技术和挑战。同时，报道了一种基于石墨烯/h-BN/InSe范德华异质结的器件，该器件通过调节InSe与不同衬底之间的接触界面，实现了稳定的场诱导载流子效应。此外，文章还介绍了该器件的显著光控整流效应和其他相关实验结果的详细情况。

关键观点总结

关键观点1: PN结在二维材料中的应用

文章介绍了二维材料中同质和异质PN结的实现方法及其特性。其中，异质结通过堆叠具有不同载流子类型的二维半导体材料形成内建电场，而同质PN结则由单一材料构成，具有原子级平整度和均匀的能带结构。实现二维材料均匀PN结的关键在于精确调控同一片材料中p区和n区的载流子行为。

关键观点2: 基于石墨烯/h-BN/InSe范德华异质结的器件

报道了一种基于石墨烯/h-BN/InSe范德华异质结的器件，通过调节InSe与不同衬底之间的接触界面，实现了稳定的场诱导载流子效应。该器件具有显著的光控整流效应，其整流比在暗态下可达10^7以上。

关键观点3: 文章实验结果

文章介绍了该器件的显著光控整流效应和其他相关实验结果的详细情况。实验结果表明，NMOS和PMOS器件的输出特性可以通过光照和栅极电压进行调控。此外，该器件的关键性能参数如响应时间和灵敏度与文献数据进行了比较。