TI发力GaN，产能增四倍

主要观点总结

德州仪器在日本会津开始生产氮化镓功率半导体，增加自有产能，旨在提高高功率、节能半导体的可靠供应。新产能使用最先进的设备来提升性能与制程效率，提供成本优势。此外，TI也在扩大投资，包括在12吋晶圆上进行GaN制造的试行作业，并准备随时根据客户需调整并移转至12吋技术生产。

关键观点总结

关键观点1: 德州仪器开始生产氮化镓功率半导体

德州仪器（TI）在日本会津的工厂开始生产氮化镓（GaN）功率半导体，加上德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI的自有产能增加了四倍。

关键观点2: GaN半导体的优势

GaN作为硅的替代方案，在节能、开关速度、电源解决方案尺寸与重量、整体系统成本以及高温高压性能等方面有优势。可应用于笔记本或移动电话的电源转接器、更小更节能的加热和空调系统等。

关键观点3: TI的GaN芯片技术与产品组合

TI表示现在已提供最广泛的整合式GaN功率半导体产品组合，从低电压到高电压都包含在内，以实现最节能、可靠且高功率密度的电子产品。此外，凭借专利硅基氮化镓制程等技术，确保高电压系统安全无虞。

关键观点4: TI的投资与扩大产能

TI通过增加使用最先进的设备来制造GaN芯片，可以提升产品性能和制程效率，同时提供成本优势。此外，TI还扩大了投资，包括在12吋晶圆上进行GaN制造的试行作业，并准备随时调整并移转至12吋技术生产。