解读SiC MOSFET关键参数——Vth

主要观点总结

碳化硅 MOSFET 中 Vth 参数的关键概述。

关键观点总结

关键观点1: 什么是 Vth 以及其在碳化硅 MOSFET 中的重要性

Vth 是碳化硅 MOSFET 的一个重要参数，影响器件的开启与关闭、导通损耗和开关速度，进而影响到整个系统的效率和可靠性。

关键观点2: Vth 的理论计算及其组成部分

Vth 的计算涉及到氧化层电压、费米能级、平带电压等。其中平带电压还受到固定电荷和界面态电荷的影响。

关键观点3: 缺陷电荷对 Vth 测试的影响

缺陷电荷会导致 Vth 测试的数值不同。为了稳定测试，需要给器件一个脉冲式的栅极电压应力以刷新栅氧界面态。

关键观点4: 迟滞效应对 Vth 的影响

SiC MOSFET 中存在迟滞效应，这与界面态密度和禁带宽度有关。迟滞效应是一种可恢复的阈值漂移，反映了器件的界面陷阱密度及界面的质量。

关键观点5: 影响 Vth 的主要参数

影响 Vth 的主要参数包括掺杂浓度、栅氧层厚度等。此外，Vth 与 Rdson 参数也有关联。