浙江大学朱书泽研究员团队：单层石墨烯的平带与极端赝磁场

主要观点总结

本文主要介绍了浙江大学交叉力学中心朱书泽研究员团队通过形貌应变工程实现单层石墨烯电子平带结构的研究。该研究利用与基底共形的单层石墨烯的应变弛豫理论，实现对平带结构和强赝磁场的高通量第一性原理计算与设计。研究表明，形貌应变工程对单层石墨烯的平带结构和电子性质有重要影响，通过建立形貌至结构放松后的原子键长的映射关系，可实现对石墨烯极强赝磁场以及电子能带结构的高通量按需调控与设计。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

近年来，在石墨烯体系中诱导电子平带结构受到了广泛关注，魔角双层石墨烯是一个著名例子。而单层石墨烯中通过应变工程实现电子平带结构为强关联电子相研究提供了新的机遇。

关键观点2: 主要研究内容

浙江大学交叉力学中心朱书泽研究员团队利用与基底共形的单层石墨烯的应变弛豫理论，研究了形貌应变工程对电子性质的影响，实现了对平带结构和强赝磁场的高通量计算与设计。

关键观点3: 研究结果

研究发现形貌应变工程可以显著影响单层石墨烯的平带结构和电子性质，通过建立形貌至结构放松后的原子键长的映射关系，可实现对石墨烯极强赝磁场以及电子能带结构的高通量按需调控与设计。相关研究成果发表在Physical Review B上。

关键观点4: 研究应用与资助

该研究在航空航天、纳米材料、电子器件等领域有潜在应用。研究得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目的资助。