台积电退出，英飞凌推进：GaN晶圆制造的两条路径

主要观点总结

本文主要介绍了氮化镓（GaN）在电力电子、数据中心与新能源汽车等领域的应用，以及台积电和英飞凌在GaN领域的不同策略。台积电决定逐步退出GaN晶圆代工业务，而英飞凌则在大力推进300毫米GaN晶圆IDM自建产线。文章还详细阐述了GaN制造路径与产业策略差异，以及产业转移中的工程挑战与供应链变局。

关键观点总结

关键观点1: 氮化镓（GaN）正加速在多个高增长领域渗透。

GaN作为第三代半导体材料之一，在电力电子、数据中心与新能源汽车等领域的应用正在加速。

关键观点2: 台积电决定退出GaN业务，主因包括产能利用率不足、价格竞争压力以及长期战略重心转移。

台积电退出GaN晶圆代工业务的选择基于多方面的考量，包括盈利能力、资源分配和市场策略等。

关键观点3: 英飞凌采用IDM模式推进GaN产业，力图在效率与成本上获得先发优势。

英飞凌通过自建300毫米GaN晶圆IDM产线，试图在市场竞争中获得优势。

关键观点4: GaN制造面临技术挑战和供应链问题。

GaN制造路径的调整伴随着设备、工艺、封装与外延协同的系统挑战，包括技术难度、供应链稳定性和市场重塑等方面。

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