【进展】中国科学院在氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究方面取得进展；JSSC接收华中科技大学多段式有源...

主要观点总结

本文报道了中国科学院在氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究方面取得的进展，以及中山大学在极性与分子构象耦合关系的纳尺度表征新方法上的成果，还有华中科技大学童乔凌、闵闰团队的研究成果和上海交通大学李政道研究所严智明课题组在表面非周期超结构研究中的新进展。

关键观点总结

关键观点1: 中国科学院在氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究方面取得进展

中国科学院苏州纳米所秦华团队提出了基于氮化镓肖特基二极管的无源太赫兹相控阵芯片原型，该芯片利用GaN SBD的高速变容特性实现阵列天线谐振模式的动态调控，支持模拟和数字调相两种工作模式，平均插入损耗为5 dB，调制速率为超过200 MHz。该研究工作为6G“通感一体化”的氮化镓基太赫兹器件解决方案提供了新思路。

关键观点2: 中山大学在极性与分子构象耦合关系的纳尺度表征方法上取得进展

中山大学物理学院张潇悦副教授课题组提出了一种电控光热力显微镜技术（ePTFM），实现在纳米尺度上特异性表征极性演化过程中有机极性基团和极性键的取向、构象。该技术有效研究了电驱动下极化与化学结构演变的耦合关系，为有机极性材料的力-电-化多场耦合研究提供新的视角。

关键观点3: 华中科技大学童乔凌、闵闰团队在多段式有源门极驱动芯片研究领域取得成果

该团队设计了一款自适应三段式有源门极驱动芯片，为高密度电源系统能效提升提供关键技术支撑。该芯片采用了三大创新设计，包括三段动态电流控制、米勒平台跨周期追踪技术和快速拖尾抑制技术。在400V/15A严苛测试中，单次开关损耗从114.8μJ降至73.0μJ，这是已报道GaN驱动芯片的最高能效纪录。

关键观点4:

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