三星2027 年2nm导入BSPDN技术，芯片尺寸缩 17%

主要观点总结

三星电子在晶圆代工领域取得最新进展，其2nm制程技术可将晶片尺寸缩小17%。该技术的核心在于采用背面电轨（BSPDN）晶片制造技术。三星计划于2027年量产2nm芯片时采用该技术，并预计能提升效能和功率。这是三星首次向公众透露BSPDN技术的细节。与此同时，英特尔和台积电也在积极采用BSPDN技术，而三星还公布了次世代GAA制程的产品路线图和芯片效能。

关键观点总结

关键观点1: 三星采用最新2nm制程技术，晶片尺寸缩小17%。

三星使用背面电轨（BSPDN）技术，该技术有助于缩小芯片尺寸并提升效能和功率。

关键观点2: 三星计划在2027年开始量产采用BSPDN技术的2nm芯片。

这是三星首次公开透露BSPDN技术的细节。

关键观点3: 其他公司如英特尔和台积电也在积极采用BSPDN技术。

英特尔预计在今年采用相当于2nm的Intel 20A制程的BSPDN技术，而台积电计划在2026年底左右对1.6nm以下制程导入BSPDN技术。

关键观点4: 三星还公布了次世代GAA制程的产品路线图和芯片效能。

三星计划今年下半年量产基于第二代环绕式闸极（GAA）制程技术的3nm晶片，接下来的2nm也会采用GAA制程。与第一代GAA制程相比，SF3可大幅提升芯片效能和功率，并缩小芯片尺寸。