【报告】半导体专题二：2025第三代半导体产业链研究报告（附PDF下载）

主要观点总结

本文介绍了《2025第三代半导体产业链研究报告》的主要内容，包括半导体发展历程、第三代半导体的优点、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的产业链结构、市场规模及竞争格局等。此外，还涉及DeepSeek教程的相关推荐资料。

关键观点总结

关键观点1: 半导体发展历程和第三代半导体特点

报告介绍了第一代、第二代和第三代半导体材料的特点和发展历程，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等特性。

关键观点2: 第三代半导体的优点

第三代半导体具有提高能量转换效率、芯片性能、耐高温高压、产品小型化等优点。

关键观点3: 碳化硅（SiC）产业链概述

报告详细阐述了碳化硅产业链结构，包括衬底、外延、器件制造和终端应用等环节，以及其在新能源汽车、光伏、工控等领域的应用。

关键观点4: 碳化硅器件和衬底市场格局

全球碳化硅功率器件市场规模正在快速增长，国产厂商在车规级市场的份额正在提升。碳化硅衬底和外延片市场也呈现出良好的增长态势。

关键观点5: 氮化镓（GaN）产业链和市场应用

报告介绍了氮化镓的适用领域和市场规模预期，以及其在5G通信、消费电子、电动汽车等领域的应用前景。

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