北理工提出并实现基于高阶非厄米趋肤效应的量子传感器，具有极高的灵敏度

主要观点总结

北京理工大学物理学院和集成电路与电子学院的合作课题组理论提出并实验实现了世界上第一个高阶拓扑传感芯片。该工作基于高阶非厄米拓扑物理理论，实现了超高灵敏度和强鲁棒性的传感器。研究亮点包括提出基于高阶拓扑量子传感理论的新型量子传感理论，利用65nm CMOS技术实现高阶拓扑传感芯片，以及芯片的超高灵敏度和强鲁棒性。该芯片可广泛应用于多种场景，具有极高的实用价值。

关键观点总结

关键观点1: 合作研究团队及成果

北京理工大学物理学院张向东教授课题组和集成电路与电子学院孙厚军教授课题组合作，理论提出并实验实现了世界上第一个高阶拓扑传感芯片。相关成果发表在Science Advances期刊上。

关键观点2: 新型量子传感理论

研究人员首次提出了基于高阶拓扑量子传感理论的新型量子传感理论，适用于任意维度与阶数的非厄米趋附效应。该理论为设计高灵敏度传感器提供了新的思路。

关键观点3: 利用CMOS技术实现高阶拓扑传感芯片

研究人员利用65nm CMOS工艺制备了对应的集成电路传感芯片，证明了其对极弱信号的优良检测能力。该芯片具有极高的灵敏度和强鲁棒性，可以在复杂环境中工作。

关键观点4: 超高灵敏度和强鲁棒性的传感器

研究所制备的芯片不仅具有很高的灵敏度，而且具有强的鲁棒性。即使在复杂的干扰环境下，仍能保持指数级增长的探测灵敏度。

关键观点5:

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