三星、SK海力士：内存价格上调30%

主要观点总结

文章主要围绕存储芯片市场展开，特别是三星、SK海力士等主要供应链预计在2025年第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调最多30%。市场共识下，存储芯片加速迈入“超级周期”，引发国际电子和服务器公司囤货并与三星等洽谈长期供应协议。文章还提到HBM需求激增推动DRAM涨价，三星加速研发HBM4并计划近期发布、年底量产。展望未来，市场对此轮存储大周期的看法不一，既有看好声音也有保守态度。

关键观点总结

关键观点1: 存储芯片市场迎来“超级周期”

三星、SK海力士等主要供应链预计将在2025年第四季度提高DRAM和NAND闪存的价格，这标志着存储芯片市场正迎来一个“超级周期”。这一趋势引发了市场的广泛关注和电子公司的囤货行为。

关键观点2: HBM需求激增推动DRAM涨价

美光高管指出，HBM需求的激增正在推动DRAM价格上涨。与此同时，摩根士丹利预测科技巨头在AI基建方面的投入将达到4000亿美元，这也进一步推动了HBM的需求。

关键观点3: 三星等加速研发新技术以应对市场需求

为了应对市场需求，三星加速研发HBM4技术并计划近期发布、年底量产。此外，佰维存储也推进了封测项目及产能扩建。

关键观点4: 市场对未来展望存在分歧

上海证券看好本轮存储大周期，认为AI需求和海外原厂产能限制将使2025年第四季度存储涨价持续。然而，华邦电董事长则持保守态度，指出当前DRAM供需可能存在不平衡，实际需求或不及预期。