主要观点总结
文章讨论了中国存储芯片领域的发展和变革。中国在存储芯片领域的成功国产化以及科研机构的重大突破，如复旦大学在8纳米级闪存芯片技术上的成就和清华大学推出的存算一体芯片等。此外，长江存储与合肥长鑫在3D NAND闪存与DRAM存储芯片领域的进展也备受关注。这些发展预示着中国芯片半导体产业自主掌控力的增强，并有望在全球舞台上发挥重要作用。文章还提到了A股市场中有潜力的三家企业，并重点介绍了一家企业的业绩和增长情况。
关键观点总结
关键观点1: 中国打破存储芯片国际垄断
文章明确指出，经过数年的不懈努力，中国在存储芯片领域已经实现了国产化的重大进展，打破了国际垄断。
关键观点2: 科研机构的显著成就
复旦大学在8纳米级闪存芯片技术上取得了显著成就，而清华大学则推出了全球首颗存算一体芯片，这些技术成果被视为存储技术的前沿。
关键观点3: 企业突破与赶超
长江存储与合肥长鑫分别在3D NAND闪存与DRAM存储芯片领域取得突破，技术实力已赶超三星、海力士。
关键观点4: 市场潜力与竞争实力
文章提到了A股市场中有潜力的三家企业，并详细描述了其中一家企业的业绩和增长情况。这家企业在存储芯片领域具有巨大的潜力和竞争力，股价和业绩都有望实现飞跃。
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