昕课堂丨浅析昕感科技在沟槽SiC MOSFET方向的研究专利

主要观点总结

本文介绍了硅和碳化硅功率MOSFET中的沟槽技术，包括其优势及在应用中的问题。重点介绍了昕感科技在沟槽SiC MOSFET技术方面的专利和创新产品。文章涵盖了不同专利的技术特点及其应用场景，并提到了昕感科技的产品性能和可靠性。

关键观点总结

关键观点1: 沟槽SiC MOSFET的优势

沟槽SiC MOSFET相比传统平面型结构，能发挥压缩元胞尺寸、消除JFET电阻、提高沟道迁移率等优势，降低器件的比导通电阻，具有广泛的应用前景。

关键观点2: 当前沟槽SiC MOSFET存在的问题

当前沟槽SiC MOSFET存在高界面态、高氧化层电场、低栅氧可靠性等问题，限制了其在商业产品中的使用。

关键观点3: 昕感科技在沟槽SiC MOSFET技术方面的专利和创新

昕感科技在沟槽SiC MOSFET技术上进行了多项专利布局，涵盖了不同结构和制备方法的专利。这些专利包括双重多层屏蔽结构、双沟槽结构、特殊形状栅极沟槽结构等，旨在解决现有问题并提升器件性能。

关键观点4: 昕感科技的产品性能和可靠性

昕感科技的产品性能和可靠性已与国际一流企业相当，并在不同电压平台上完成了数十款SiC器件和模块产品的量产。部分产品已通过AEC-Q101车规级可靠性认证，广泛应用于光伏储能、新能源汽车、工业控制等领域。

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