技术分享 | 功率MOSFET雪崩特性

主要观点总结

本文主要介绍了MOSFET的雪崩特性，包括其定义、现象描述、相关参数（雪崩电流和雪崩能量）、雪崩失效机制、应用条件及预防措施。文章还提及了瑶芯微电子科技（上海）有限公司的主要产品和应用领域。

关键观点总结

关键观点1: MOSFET的雪崩特性定义

当MOSFET上所承受电压超过其击穿电压时，载流子在强电场作用下通过碰撞电离产生电子-空穴对，形成连锁反应，导致电流急剧增大，可能损坏MOSFET器件。

关键观点2: 雪崩特性的重要性和影响

雪崩特性直接关系到MOSFET的安全运行和可靠性，是MOSFET设计和应用中需要考虑的重要参数。

关键观点3: 雪崩电流和雪崩能量的概念及限制条件

雪崩特性包括雪崩电流（IAS和IAR）和雪崩能量（EAS和EAR），这些参数的限制条件通常是以器件的最高允许结温（Tch <= 150℃）为极限。

关键观点4: 雪崩失效机制及原理

在感性负载应用中，MOSFET关闭时因电感或电路寄生电感的特性产生反电动势，该反电动势叠加在输入电压上可能超过MOSFET的最大额定值，导致雪崩击穿。

关键观点5: 雪崩应用条件及预防措施

雪崩的损坏常发生在过压过流高温等极端条件下，相应的预防措施包括加快短路系统响应、优化电路及变压器设计、加缓冲电路抑制di/dt等。

关键观点6: 瑶芯微电子科技（上海）有限公司的主营产品和应用领域

该公司主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售，产品应用于消费类和工业类以及车载的功率器件应用，消费类电子市场、医疗与工控领域的传感器产品和信号链IC。