韩国国立金乌工科大学，成均馆大学ACS Nano: 采用缺陷工程MoSe2与范德华VSe2电极的高开...

主要观点总结

文章介绍了基于二维材料的垂直场效应晶体管（VFET）的研究进展，特别是其面临的一个关键挑战及应对策略。研究者成功制备出高性能的MoSe2垂直晶体管，其开关电流比超过10^5。此外，文章还涉及缺陷工程优化、真空预退火工艺以及高功函数VSe2的应用等相关内容。最后，提供了关于文献信息的链接和某公司的相关产品和服务介绍。

关键观点总结

关键观点1: 垂直场效应晶体管的性能发展及其面临的挑战

文章介绍了垂直场效应晶体管（VFET）的研究进展，特别是其因能直接实现纳米级以下超短沟道而备受关注。然而，寄生漏电流限制了其性能发展，要解决这一挑战需要有效抑制GFFR区域的漏电流。

关键观点2: 高性能MoSe2垂直晶体管的制备及其性能特点

文章指出采用GFFR漏电流抑制策略成功制备出高性能的MoSe2垂直晶体管，开关电流比超过10^5。缺陷工程优化、真空预退火工艺以及高功函数VSe2的应用等都在其中起到了关键作用。

关键观点3: 文献信息的介绍和公司的产品和服务

文章提供了关于文献信息的链接，介绍了韩国国立金乌工科大学Hyun Ho Kim团队的研究成果。此外，还提及了上海昂维科技有限公司提供的二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务。