南京大学Adv.Mater.：高取向单层二硫化钨WS2！！

主要观点总结

本工作室建立了微信群用于交流讨论，提供二维材料、科研绘图技巧等内容。同时宣传了邓昱老师等人关于高定向二硫化钨（WS2）单层研究的工作，该工作在Advanced Materials期刊上发表。这项研究通过模板生长策略实现了WS2单层的高定向生长，并在高性能电子学领域表现出良好的性能，为宽带隙TMDC单层在后硅电子学中的应用铺平了道路。

关键观点总结

关键观点1: 工作室建立微信群，促进学术交流。

工作室通过微信群提供交流讨论的平台，分享二维材料、科研绘图技巧等相关内容。

关键观点2: 邓昱老师等人的研究在Advanced Materials期刊上发表。

该研究关注高定向二硫化钨（WS2）单层的合成及其在高性能电子学中的应用。

关键观点3: WS2单层的高定向生长策略的实现及其性能表现。

该研究通过模板生长策略在斜切C/A面蓝宝石晶片上实现了WS2单层的高定向生长。在高性能电子学领域表现出良好的性能，如高场效应迁移率、低接触电阻和创纪录的高饱和电流密度。

关键观点4: 研究的创新点和意义。

该研究为宽带隙TMDC单层在后硅电子学中的应用铺平了道路，为大面积、高性能TMDC单层的合成提供了新的方法。

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