【新品发布】圣邦微电子推出 30V 单 N 沟道功率 MOSFET SGMNQ36430

主要观点总结

圣邦微电子推出了一款名为SGMNQ36430的30V单N沟道功率MOSFET。该器件适用于CPU电源传输、DC/DC转换器等领域，具有低导通电阻、低栅极电荷等特性。此外，它采用绿色封装，符合环保标准，且能在多种温度环境下工作。

关键观点总结

关键观点1: 产品特性及优势

SGMNQ36430具有低导通电阻（最大值为 3.6mΩ）和低栅极电荷（总栅极电荷为 22.7nC），有助于减少功率损耗和开关过程中的能量损失。此外，其紧凑的封装尺寸使其成为有限的PCB空间内的理想选择。

关键观点2: 应用领域

SGMNQ36430可广泛应用于CPU电源传输、DC/DC转换器、功率负载开关以及笔记本电池管理等领域。

关键观点3: 性能参数及电气特性

该器件的最大漏源电压为 30V，最大漏极电流在 25℃ 时可达 75A，在 100℃ 时为 47A。此外，它采用符合环保理念的绿色封装，且适应多种工作环境温度范围。

关键观点4: 关于圣邦微电子简介

圣邦微电子是一家高性能和高可靠性模拟及混合信号处理和系统电源管理集成电路供应商。它为工业自动化、新能源等多个领域提供创新的模拟信号调理和电源解决方案。