主要观点总结
文章提供了硬件岗面试的相关问题和答案,涵盖了ESD模型、晶体管放大电路、51内核单片机、电路知识、竞争与冒险、电容单位换算、DDR4的Fly-by拓扑等方面的基础题和高频实战题。
关键观点总结
关键观点1: ESD模型的三种类型和记忆口诀
包括人体模型HBM、机器模型MM和带电器件模型CDM,每个模型都有对应的记忆口诀,如HBM是“人摸东西先电人”,MM是“设备一碰就放电”,CDM是“芯片自己带电再接地”。
关键观点2: 晶体管放大电路的三大拓扑及其速记
三大拓扑包括共射、共集和共基,各有特点,如共射可以放大信号,共集主要用于阻抗变换,共基适用于高频处理。
关键观点3: 51内核单片机及其外设
介绍了三款常见的51内核单片机,如AT89C51等,并详细解释了AT89C51的常见外设功能。
关键观点4: 电路术语在高速和低速场景下的解释
旁路、滤波、耦合、去耦等术语在高速和低速场景下的含义和应用。
关键观点5: 竞争与冒险的比喻和解析
将竞争与冒险比作地铁进站的过程,解释了两信号同时争夺资源时可能出现的问题。
关键观点6: 电容单位换算的面试技巧
介绍了0.1µF与100nF其实是同一电容单位的换算问题,给出了面试时的圆场技巧。
关键观点7: DDR4的Fly-by拓扑的时延匹配问题
解释了DDR4的Fly-by拓扑在时钟线长度匹配上的最大时延差,以及超过此限制可能导致的问题。
关键观点8: 硬件问题定位和解决的方法
介绍了在产线发现板级无法启动时如何通过X-ray、热态加压测和回流曲线重测等步骤进行定位和解决问题。
关键观点9: 车载摄像头EMC超标问题的解决方式
提供了针对车载摄像头EMC超标的快速补丁方法,包括同轴线外屏蔽层压接、电源端串共模电感和数据对加平衡TVS等。
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