浙江大学「国家杰青」团队，最新Science！

主要观点总结

文章介绍了半Heusler（HH）窄带隙半导体中的压电效应及其能量收集技术。浙江大学朱铁军教授团队在半Heusler化合物TiNiSn、ZrNiSn和TiCoSb中观察到了显著的压电效应，其中ZrNiSn和TiCoSb的剪切压电应变系数达到约38和33 pC/N。这些材料在高温下展现出良好的热稳定性和机械稳定性，适合用于高端压电器件和传感器。研究成果发表在《Science》上。

关键观点总结

关键观点1: 半Heusler窄带隙半导体中的压电效应研究。

浙江大学朱铁军教授团队在半Heusler化合物TiNiSn、ZrNiSn和TiCoSb中观察到了显著的压电效应，这些材料的压电性能在高温下仍然保持稳定。

关键观点2: 半Heusler化合物的压电性能。

半Heusler化合物TiNiSn、ZrNiSn和TiCoSb表现出较高的压电应变系数，其中ZrNiSn和TiCoSb的剪切压电应变系数分别为约38和33 pC/N。

关键观点3: 半Heusler化合物在压电传感器中的应用前景。

基于单晶TiCoSb的压电传感器展示出了显著的压电响应，为半Heusler化合物在压电领域的应用提供了广阔的前景。

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