Adv. Funct. Mater.：基于二维异质结构的可切换二/三进制 CMOS 逻辑器件

主要观点总结

本文介绍了一种基于垂直堆叠化学气相沉积生长的MoS2 n-MOSFET与WSe2 p-MOSFET构建的T-CMOS反相器，实现了稳定、可重构的中间逻辑状态。该策略使用二维过渡金属硫族化合物（TMDs）材料，具有多项优势，包括原子级薄层通道、强静电控制能力、高载流子迁移率、机械柔性以及兼容低温合成的特点。文章还介绍了该策略的可行性向多值逻辑电路的拓展，并提供了相关的文献信息和上海昂维科技有限公司提供的微纳加工服务和测试分析。

关键观点总结

关键观点1: 研究背景

随着传统金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的性能提升逐渐趋于瓶颈，多值逻辑（MVL）作为一种能够在单个逻辑状态中编码超过1位信息的技术，备受关注。特别是在三值逻辑（Ternary Logic）中，通过引入中间状态有望实现器件数量减少、功耗降低和电路结构更紧凑等优势。

关键观点2: 研究内容

韩国延世大学的jiwon Chang副教授和韩国科学技术院Kibum Kang副教授提出了一种基于垂直堆叠化学气相沉积生长的MoS2 n-MOSFET与WSe2 p-MOSFET构建的T-CMOS反相器。该策略结合了栅可调的MoS2电阻元件，实现了稳定、可重构的中间逻辑状态。

关键观点3: 主要优势

该策略的主要优势在于使用二维过渡金属硫族化合物（TMDs）材料，具有原子级薄层通道、强静电控制能力、高载流子迁移率等特点。此外，该研究还展示了三值NAND (NMIN)与三值NOR (NMAX)逻辑门的实现，验证了该策略向多值逻辑电路拓展的可行性。

关键观点4: 文献信息

文章引用来源为Electrically Binary and Ternary Convertible CMOS Inverter and Logic Gate Using Complementary Field-Effect Transistors Based on Vertically Stacked MoS2/WSe2 n-/p- Field-Effect Transitors（DOI：10.1002/adfm.202510164）。此外，上海昂维科技有限公司提供二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务以及测试分析服务。

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