挑战5nm单次曝光！ ASML研发新一代Hyper NA EUV光刻机

主要观点总结

ASML作为全球领先的半导体设备制造商，已经开始研发下一代先进光刻设备，为未来十年的芯片产业做准备。技术执行副总裁Jos Benschop指出，这项技术将满足未来产业需求，尤其是在2035年之后。ASML及其光学合作伙伴蔡司正在研究单次曝光印刷分辨率精细到5纳米电路的机器设计。

关键观点总结

关键观点1: ASML研发下一代先进光刻设备

ASML已经开始着手研发下一代先进光刻设备，以应对未来芯片产业的需求。该公司计划满足未来产业的需求，特别是在2035年之后的需求。

关键观点2: 与蔡司合作研究高精度印刷技术

ASML与独家光学合作伙伴蔡司正在研究单次曝光印刷分辨率精细到5纳米电路的机器设计。他们正在进行合作以实现更高的印刷精度和效率。

关键观点3: 瞄准数值孔径（NA）提升至NA 0.7或更高

数值孔径是衡量光学系统收集与聚焦光线能力的关键指标。ASML正在朝着提高NA的目标迈进，以实现更高的印刷分辨率和性能。

关键观点4: 大规模采用新系统需要时间验证和配套开发

虽然ASML已经开始向一些客户交付新一代设备，但大规模采用新系统还需要时间进行性能验证和配套材料与工具的开发。