科普 | 晶圆抛光的目的和工艺类型

主要观点总结

本文主要介绍了晶圆在光刻过程中需要保持极致平坦的原因，以及为了提高成像精度，牺牲了对焦能力的情况。同时，介绍了晶圆抛光工艺中的机械抛光法、化学抛光法和化学机械抛光法（CMP）等三种方法，并阐述了它们的特点和应用。此外，文章还提到了CMP后清洗的重要性和桑德斯微电子（SMC）公司的相关信息。

关键观点总结

关键观点1: 晶圆在光刻过程中需要保持极致平坦以提高成像精度。

随着芯片制程的缩小，增大镜片的数值孔径会导致焦深的下降，因此需要保证晶圆表面的平坦度。

关键观点2: 晶圆抛光工艺包括机械抛光法、化学抛光法和化学机械抛光法（CMP）。

机械抛光靠切削和塑性变形去掉凸部得到平滑面；化学抛光优先溶解表面微观凸出的部分；CMP则是将机械摩擦和化学腐蚀相结合进行抛光，达到优缺互补的效果。

关键观点3: CMP后清洗的重要性。

CMP后的清洗需要去除晶圆上的颗粒、有机残留物和金属污染物，且不会产生划痕、水痕等不良影响。

关键观点4: 桑德斯微电子（SMC）是一家高新技术企业，其半导体芯片、大功率半导体器件等产品广泛应用于多个尖端领域。

SMC成立于1997年，集研发、设计、制造、销售为一体。