美光直接进军第五代HBM3E，2025年抢占HBM 市占率达25%

主要观点总结

存储芯片大厂美光进军第五代高频宽存储器（HBM3E），目标抢占下代市场。得到GPU大厂英伟达订单，并计划于2023年底全面供应。韩国SK海力士和三星亦积极投入HBM3E研发与量产。随着高效能运算、人工智慧应用和GPU需求持续成长，HBM市场竞争激烈，美光成为强大竞争对手。

关键观点总结

关键观点1: 美光进军第五代HBM3E

美光跨越第四代HBM，直接研发第五代HBM3E，获得英伟达订单，并计划于2023年底全面供应。

关键观点2: 韩国SK海力士和三星的HBM3E进展

SK海力士开始量产HBM3E，并计划第三季完成12层HBM3E开发，2025年供货。三星亦在积极推进HBM3E的认证和量产计划。

关键观点3: 美光与韩国企业的竞争

随着高效能运算、人工智慧应用和GPU需求的增长，HBM市场竞争激烈。美光积极扩大HBM生产线，成为SK海力士和三星的强大竞争对手。

关键观点4: 美光的策略与未来规划

美光考虑将马来西亚工厂转为HBM专用生产线，扩大台中HBM产线。日本新广岛工厂将成为HBM生产基地，并计划提高2025年的市占率至25%。

关键观点5: SK海力士调整计划应对竞争

SK海力士将原本定于2026年量产的12层堆叠第六代HBM（HBM4）提前至2025年。清州M15x工厂建立整合HBM产线，包括EUV设备，将于2025年竣工。